TPCF8107,LF - MOSFET P-CH 30V 6A VS-8

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per TPCF8107,LF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : TPCF8107,LF
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
Serie : U-MOSVI
Stato parte : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (massimo) : +20V, -25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 970pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 700mW (Ta)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : VS-8 (2.9x1.5)
Pacchetto / caso : 8-SMD, Flat Lead
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Documenti per TPCF8107,LF

Schede tecniche : TPCF8107,LF.pdf

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