CSD85312Q3E - MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-CSD85312Q3E
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1223455 Pieces
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Specifiche per CSD85312Q3E
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
CSD85312Q3E
fabbricante :
Texas Instruments
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Serie :
NexFET™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Common Source
Caratteristica FET :
Logic Level Gate, 5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.4 mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
15.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
2390pF @ 10V
Potenza - Max :
2.5W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-VSON (3.3x3.3)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per CSD85312Q3E
Schede tecniche :
CSD85312Q3E.pdf
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