BYC8B-600PQP - DIODE GEN PURP 600V 8A

codice articolo del costruttore
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fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 600V 8A
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per BYC8B-600PQP

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : BYC8B-600PQP
fabbricante : NXP USA Inc.
Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 8A
Serie : -
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Corrente: media rettificata (Io) : 8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 3.4V @ 8A
Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 18ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 20µA @ 600V
Capacità @ Vr, F : -
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK
Temperatura operativa - Giunzione : 175°C (Max)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : BYC8 , BYC8B-

Documenti per BYC8B-600PQP

Schede tecniche : BYC8B-600PQP.pdf

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