RS1E200BNTB - MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-RS1E200BNTB
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
2472800 Pieces
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Specifiche per RS1E200BNTB
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
RS1E200BNTB
fabbricante :
Rohm Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
20A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
59nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
3100pF @ 15V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
3W (Ta), 25W (Tc)
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-HSOP
Pacchetto / caso :
8-PowerTDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per RS1E200BNTB
Schede tecniche :
RS1E200BNTB.pdf
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