APTM10UM01FAG - MOSFET N-CH 100V 860A SP6
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 860A SP6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
9407 Pieces
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Specifiche per APTM10UM01FAG
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
APTM10UM01FAG
fabbricante :
Microsemi Corporation
Descrizione :
MOSFET N-CH 100V 860A SP6
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
860A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 mOhm @ 275A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 12mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
2100nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
60000pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
2500W (Tc)
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
SP6
Pacchetto / caso :
SP6
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per APTM10UM01FAG
Schede tecniche :
APTM10UM01FAG.pdf
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