DMT3006LDK-7 - MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308

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MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308
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Specifiche per DMT3006LDK-7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : DMT3006LDK-7
fabbricante : Diodes Incorporated
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 17.1A (Ta), 46.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 22.6nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1320pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.1W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : V-DFN3030-8
Pacchetto / caso : 8-PowerWDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : DMT3 , DMT300

Documenti per DMT3006LDK-7

Schede tecniche : DMT3006LDK-7.pdf

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