IXFN82N60Q3 - MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IXFN82N60Q3
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
17320 Pieces
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Specifiche per IXFN82N60Q3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IXFN82N60Q3
fabbricante : IXYS
Descrizione : MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
Serie : HiPerFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 66A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 41A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 275nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 13500pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 960W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-227B
Pacchetto / caso : SOT-227-4, miniBLOC
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IXFN82N60Q3
Schede tecniche : IXFN82N60Q3.pdf
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