2SJ668(TE16L1,NQ) - MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
50694 Pieces
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Specifiche per 2SJ668(TE16L1,NQ)
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
2SJ668(TE16L1,NQ)
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
Serie :
U-MOSIII
Stato parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
700pF @ 10V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
20W (Tc)
temperatura di esercizio :
150°C
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PW-MOLD
Pacchetto / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per 2SJ668(TE16L1,NQ)
Schede tecniche :
2SJ668(TE16L1,NQ).pdf
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