KLUDG8J1ZD-B0CQ - UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Mass Production
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UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Mass Production
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Specifiche per KLUDG8J1ZD-B0CQ
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : KLUDG8J1ZD-B0CQ
fabbricante : Samsung Semiconductor
Descrizione : UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Mass Production
Serie : DDR3
Versione : UFS 2.1
Densità : 128 GB
Voltaggio : 1.8 / 3.3 V
Interfaccia : G3 2Lane
Formato del pacchetto : 11.5 x 13 x 1.2 mm
Temp. : -40 ~ 105 °C
Stato prodotto : Mass Production
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per KLUDG8J1ZD-B0CQ
Schede tecniche : KLUDG8J1ZD-B0CQ.pdf
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