NGTD21T65F2WP - IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
182695 Pieces
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Specifiche per NGTD21T65F2WP
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : NGTD21T65F2WP
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) : -
Corrente - Collector Pulsed (Icm) : 200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 45A
Potenza - Max : -
Cambiare energia : -
Tipo di input : Standard
Carica del cancello : -
Td (acceso / spento) @ 25 ° C : -
Condizione di test : -
Tempo di recupero inverso (trr) : -
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : Die
Pacchetto dispositivo fornitore : Die
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per NGTD21T65F2WP
Schede tecniche : NGTD21T65F2WP.pdf
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