DMT6016LFDF-7 - MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

codice articolo del costruttore

DMT6016LFDF-7

Numero parte interna

AX-DMT6016LFDF-7

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

1888170 Pieces

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Specifiche per DMT6016LFDF-7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMT6016LFDF-7

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8.9A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 864pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 820mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-UDFN (2x2)

Pacchetto / caso : 6-UDFN Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMT6 , DMT601

Documenti per DMT6016LFDF-7

Schede tecniche : DMT6016LFDF-7.pdf

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