IRF9333TRPBF - MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IRF9333TRPBF
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
1416000 Pieces
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Specifiche per IRF9333TRPBF
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRF9333TRPBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19.4 mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1110pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IRF9333TRPBF
Schede tecniche : IRF9333TRPBF.pdf
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