2N6849 - MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-2N6849
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
67065 Pieces
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Specifiche per 2N6849
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
2N6849
fabbricante :
Microsemi Corporation
Descrizione :
MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
6.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
320 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
34.8nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
800mW (Ta), 25W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-39
Pacchetto / caso :
TO-205AF Metal Can
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per 2N6849
Schede tecniche :
2N6849.pdf
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