RF4E070BNTR - MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML

codice articolo del costruttore

RF4E070BNTR

Numero parte interna

AX-RF4E070BNTR

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1325410 Pieces

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Specifiche per RF4E070BNTR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RF4E070BNTR

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML

Serie : -

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28.6 mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.9nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 410pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2W (Ta)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : HUML2020L8

Pacchetto / caso : 8-PowerUDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per RF4E070BNTR

Schede tecniche : RF4E070BNTR.pdf

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