NTJD1155LT1G - MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-NTJD1155LT1G
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
3653175 Pieces
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Specifiche per NTJD1155LT1G
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
NTJD1155LT1G
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N and P-Channel
Caratteristica FET :
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) :
8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potenza - Max :
400mW
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore :
SC-88/SC70-6/SOT-363
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per NTJD1155LT1G
Schede tecniche :
NTJD1155LT1G.pdf
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