IXTD1R4N60P 11 - MOSFET N-CH 600V

codice articolo del costruttore

IXTD1R4N60P 11

Numero parte interna

AX-IXTD1R4N60P 11

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

22603 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per IXTD1R4N60P 11

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXTD1R4N60P 11

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 600V

Serie : PolarHV™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.4A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 Ohm @ 700mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.2nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 50W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : Die

Pacchetto / caso : Die

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXTD , IXTD1R4

Documenti per IXTD1R4N60P 11

Schede tecniche : IXTD1R4N60P 11.pdf

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