IRLR4343-701PBF - MOSFET N-CH 55V 26A DPAK

codice articolo del costruttore

IRLR4343-701PBF

Numero parte interna

AX-IRLR4343-701PBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 55V 26A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

5208 Pieces

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Specifiche per IRLR4343-701PBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRLR4343-701PBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 55V 26A DPAK

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 26A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 740pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 79W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : I-PAK (LF701)

Pacchetto / caso : TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per IRLR4343-701PBF

Schede tecniche : IRLR4343-701PBF.pdf

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