RF4E080BNTR - MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-RF4E080BNTR
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1982055 Pieces
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Specifiche per RF4E080BNTR
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
RF4E080BNTR
fabbricante :
Rohm Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17.6 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
14.5nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
660pF @ 15V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
2W (Ta)
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
HUML2020L8
Pacchetto / caso :
8-PowerUDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per RF4E080BNTR
Schede tecniche :
RF4E080BNTR.pdf
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