IXTR200N10P - MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247

codice articolo del costruttore

IXTR200N10P

Numero parte interna

AX-IXTR200N10P

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

53676 Pieces

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Specifiche per IXTR200N10P

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXTR200N10P

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247

Serie : HiPerFET™, PolarP2™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 235nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 7600pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 300W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : ISOPLUS247™

Pacchetto / caso : ISOPLUS247™

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXT , IXTR2

Documenti per IXTR200N10P

Schede tecniche : IXTR200N10P.pdf

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