SI3900DV-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
1018300 Pieces
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Specifiche per SI3900DV-T1-GE3
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SI3900DV-T1-GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potenza - Max :
830mW
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore :
6-TSOP
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SI3900DV-T1-GE3
Schede tecniche :
SI3900DV-T1-GE3.pdf
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