SSM5N16FUTE85LF - MOSFET N-CH 20V 0.1A USV

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
Stato RoHS
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Specifiche per SSM5N16FUTE85LF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SSM5N16FUTE85LF
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
Serie : π-MOSVI
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (massimo) : ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 9.3pF @ 3V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 200mW (Ta)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : USV
Pacchetto / caso : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SSM5N , SSM5N16

Documenti per SSM5N16FUTE85LF

Schede tecniche : SSM5N16FUTE85LF.pdf

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