SI1965DH-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

codice articolo del costruttore

SI1965DH-T1-GE3

Numero parte interna

AX-SI1965DH-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2355105 Pieces

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Specifiche per SI1965DH-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI1965DH-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.2nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 120pF @ 6V

Potenza - Max : 1.25W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore : SC-70-6 (SOT-363)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI196 , SI1965D

Documenti per SI1965DH-T1-GE3

Schede tecniche : SI1965DH-T1-GE3.pdf

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