FQB30N06TM - MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

codice articolo del costruttore

FQB30N06TM

Numero parte interna

AX-FQB30N06TM

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

70290 Pieces

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Specifiche per FQB30N06TM

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FQB30N06TM

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

Serie : QFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 945pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.75W (Ta), 79W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FQB , FQB30

Documenti per FQB30N06TM

Schede tecniche : FQB30N06TM.pdf

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