BSO330N02KGFUMA1 - MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO

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MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
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Specifiche per BSO330N02KGFUMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : BSO330N02KGFUMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
Serie : OptiMOS™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 730pF @ 10V
Potenza - Max : 1.4W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-DSO-8
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : BSO33 , BSO330N0

Documenti per BSO330N02KGFUMA1

Schede tecniche : BSO330N02KGFUMA1.pdf

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