S1BHE3_A/I - DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

codice articolo del costruttore

S1BHE3_A/I

Numero parte interna

AX-S1BHE3_A/I

fabbricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

6760255 Pieces

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Specifiche per S1BHE3_A/I

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : S1BHE3_A/I

fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrizione : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V

Corrente: media rettificata (Io) : 1A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 1.8µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 1µA @ 100V

Capacità @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore : DO-214AC (SMA)

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : S1B , S1BHE

Documenti per S1BHE3_A/I

Schede tecniche : S1BHE3_A/I.pdf

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