EPC2010C - GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
125190 Pieces
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Specifiche per EPC2010C

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : EPC2010C
fabbricante : EPC
Descrizione : GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 22A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 12A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.3nC @ 5V
Vgs (massimo) : +6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 100V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : -
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : Die Outline (7-Solder Bar)
Pacchetto / caso : Die
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Schede tecniche : EPC2010C.pdf

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