FDN338P_G - INTEGRATED CIRCUIT

codice articolo del costruttore

FDN338P_G

Numero parte interna

AX-FDN338P_G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

INTEGRATED CIRCUIT

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

17640 Pieces

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Specifiche per FDN338P_G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDN338P_G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : INTEGRATED CIRCUIT

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.2nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 451pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 500mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SuperSOT-3

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDN , FDN3

Documenti per FDN338P_G

Schede tecniche : FDN338P_G.pdf

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