BSO303PNTMA1 - MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO

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Breve descrizione
MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per BSO303PNTMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : BSO303PNTMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
Serie : OptiMOS™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 72.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1761pF @ 25V
Potenza - Max : 2W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : P-DSO-8
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : BSO3 , BSO303

Documenti per BSO303PNTMA1

Schede tecniche : BSO303PNTMA1.pdf

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