IXTU01N100D - MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IXTU01N100D
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
388375 Pieces
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Specifiche per IXTU01N100D
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IXTU01N100D
fabbricante :
IXYS
Descrizione :
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
100mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 Ohm @ 50mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
120pF @ 25V
Caratteristica FET :
Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max) :
1.1W (Ta), 25W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-251
Pacchetto / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IXTU01N100D
Schede tecniche :
IXTU01N100D.pdf
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