TPH1R712MD,L1Q - MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
856420 Pieces
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Specifiche per TPH1R712MD,L1Q
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
TPH1R712MD,L1Q
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
Serie :
U-MOSVI
Stato parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
182nC @ 5V
Vgs (massimo) :
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
10900pF @ 10V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
78W (Tc)
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso :
8-PowerVDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per TPH1R712MD,L1Q
Schede tecniche :
TPH1R712MD,L1Q.pdf
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