IRF6665TR1PBF - MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

codice articolo del costruttore

IRF6665TR1PBF

Numero parte interna

AX-IRF6665TR1PBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

9000 Pieces

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Specifiche per IRF6665TR1PBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF6665TR1PBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.2A (Ta), 19A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 62 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 530pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.2W (Ta), 42W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DIRECTFET™ SH

Pacchetto / caso : DirectFET™ Isometric SH

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF6 , IRF666

Documenti per IRF6665TR1PBF

Schede tecniche : IRF6665TR1PBF.pdf

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