BSS119L6327HTSA1 - MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

codice articolo del costruttore

BSS119L6327HTSA1

Numero parte interna

AX-BSS119L6327HTSA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

8096 Pieces

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Specifiche per BSS119L6327HTSA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSS119L6327HTSA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Serie : SIPMOS®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 170mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 170mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 78pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 360mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23-3

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSS11 , BSS119L6

Documenti per BSS119L6327HTSA1

Schede tecniche : BSS119L6327HTSA1.pdf

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