US1M-E3/5AT - DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-US1M-E3/5AT
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
4429355 Pieces
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Specifiche per US1M-E3/5AT
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : US1M-E3/5AT
fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Serie : -
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 1000V
Corrente: media rettificata (Io) : 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 1A
Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore : DO-214AC (SMA)
Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per US1M-E3/5AT
Schede tecniche : US1M-E3/5AT.pdf
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