HS8K11TB - MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

codice articolo del costruttore

HS8K11TB

Numero parte interna

AX-HS8K11TB

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3047290 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per HS8K11TB

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : HS8K11TB

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7A, 11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.9 mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11.1nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 500pF @ 15V

Potenza - Max : 2W

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore : HSML3030L10

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : HS , HS8K

Documenti per HS8K11TB

Schede tecniche : HS8K11TB.pdf

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