FQA85N06 - MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FQA85N06
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
70975 Pieces
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Specifiche per FQA85N06
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
FQA85N06
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P
Serie :
QFET®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
112nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
4120pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
214W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-3P
Pacchetto / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per FQA85N06
Schede tecniche :
FQA85N06.pdf
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