FDZ298N - MOSFET N-CH 20V 6A BGA

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 6A BGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per FDZ298N

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FDZ298N
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 20V 6A BGA
Serie : PowerTrench®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 680pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.7W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 9-BGA (1.5x1.6)
Pacchetto / caso : 9-WFBGA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : FD , FDZ

Documenti per FDZ298N

Schede tecniche : FDZ298N.pdf

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