IPW65R041CFDFKSA1 - MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247

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MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
Stato RoHS
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Specifiche per IPW65R041CFDFKSA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IPW65R041CFDFKSA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
Serie : CoolMOS™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 68.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 33.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 3.3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 300nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 8400pF @ 100V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 500W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO247-3
Pacchetto / caso : TO-247-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : IPW65 , IPW65R04

Documenti per IPW65R041CFDFKSA1

Schede tecniche : IPW65R041CFDFKSA1.pdf

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