HAT2131R-EL-E - MOSFET N-CH 8SO

codice articolo del costruttore

HAT2131R-EL-E

Numero parte interna

AX-HAT2131R-EL-E

fabbricante

Renesas Electronics America

Breve descrizione

MOSFET N-CH 8SO

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

21728 Pieces

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Specifiche per HAT2131R-EL-E

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : HAT2131R-EL-E

fabbricante : Renesas Electronics America

Descrizione : MOSFET N-CH 8SO

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 350V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 900mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 450mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 460pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : HAT2 , HAT213

Documenti per HAT2131R-EL-E

Schede tecniche : HAT2131R-EL-E.pdf

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