NSVBAS19LT1G - DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-NSVBAS19LT1G
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
13945930 Pieces
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Specifiche per NSVBAS19LT1G
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
NSVBAS19LT1G
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
Serie :
-
Stato parte :
Active
Diodo :
Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) :
120V
Corrente: media rettificata (Io) :
200mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 200mA
Velocità :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr) :
50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr :
100nA @ 100V
Capacità @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore :
SOT-23-3 (TO-236)
Temperatura operativa - Giunzione :
-55°C ~ 150°C
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per NSVBAS19LT1G
Schede tecniche :
NSVBAS19LT1G.pdf
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