SISH434DN-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
843565 Pieces
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Specifiche per SISH434DN-T1-GE3
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SISH434DN-T1-GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
17.6A (Ta), 35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.6 mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1530pF @ 20V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
3.8W (Ta), 52W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PowerPAK® 1212-8SH
Pacchetto / caso :
PowerPAK® 1212-8SH
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SISH434DN-T1-GE3
Schede tecniche :
SISH434DN-T1-GE3.pdf
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