PSMN1R0-30YLDX - MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
591890 Pieces
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Specifiche per PSMN1R0-30YLDX
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
PSMN1R0-30YLDX
fabbricante :
Nexperia USA Inc.
Descrizione :
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.02 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
121.35nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
8598pF @ 15V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
238W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso :
SC-100, SOT-669
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per PSMN1R0-30YLDX
Schede tecniche :
PSMN1R0-30YLDX.pdf
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