IDB30E120ATMA1 - DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
348025 Pieces
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Specifiche per IDB30E120ATMA1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IDB30E120ATMA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
Serie :
-
Stato parte :
Active
Diodo :
Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200V
Corrente: media rettificata (Io) :
50A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
2.15V @ 30A
Velocità :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) :
243ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr :
100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F :
-
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-TO263-3
Temperatura operativa - Giunzione :
-55°C ~ 150°C
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IDB30E120ATMA1
Schede tecniche :
IDB30E120ATMA1.pdf
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