PSMN013-80YS,115 - MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
1155155 Pieces
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Specifiche per PSMN013-80YS,115
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
PSMN013-80YS,115
fabbricante :
Nexperia USA Inc.
Descrizione :
MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
37nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
2420pF @ 40V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
106W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso :
SC-100, SOT-669
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per PSMN013-80YS,115
Schede tecniche :
PSMN013-80YS,115.pdf
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