FQN1N60CBU - MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92

codice articolo del costruttore

FQN1N60CBU

Numero parte interna

AX-FQN1N60CBU

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

6456 Pieces

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Specifiche per FQN1N60CBU

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FQN1N60CBU

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92

Serie : QFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 300mA (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.5 Ohm @ 150mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.2nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 170pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1W (Ta), 3W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-92-3

Pacchetto / caso : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FQN , FQN1N

Documenti per FQN1N60CBU

Schede tecniche : FQN1N60CBU.pdf

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