BSM120D12P2C005 - MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

codice articolo del costruttore

BSM120D12P2C005

Numero parte interna

AX-BSM120D12P2C005

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

9169 Pieces

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Specifiche per BSM120D12P2C005

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSM120D12P2C005

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Caratteristica FET : Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 22mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 14000pF @ 10V

Potenza - Max : 780W

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : -

Pacchetto / caso : Module

Pacchetto dispositivo fornitore : Module

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSM12 , BSM120D

Documenti per BSM120D12P2C005

Schede tecniche : BSM120D12P2C005.pdf

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