IRLL2705TRPBF - MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
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MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IRLL2705TRPBF
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRLL2705TRPBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Serie : HEXFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 870pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-223
Pacchetto / caso : TO-261-4, TO-261AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IRLL2705TRPBF
Schede tecniche : IRLL2705TRPBF.pdf
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