W947D2HBJX5E TR - IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
238060 Pieces
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Specifiche per W947D2HBJX5E TR
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
W947D2HBJX5E TR
fabbricante :
Winbond Electronics
Descrizione :
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo di memoria :
Volatile
Formato di memoria :
DRAM
Tecnologia :
SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria :
128Mb (4M x 32)
Frequenza di clock :
200MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina :
15ns
Tempo di accesso :
5ns
Interfaccia di memoria :
Parallel
Tensione - Fornitura :
1.7V ~ 1.95V
temperatura di esercizio :
-25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore :
90-VFBGA (8x13)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per W947D2HBJX5E TR
Schede tecniche :
W947D2HBJX5E TR.pdf
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