W947D2HBJX5E TR - IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
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fabbricante
Breve descrizione
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
238060 Pieces
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Specifiche per W947D2HBJX5E TR
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : W947D2HBJX5E TR
fabbricante : Winbond Electronics
Descrizione : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo di memoria : Volatile
Formato di memoria : DRAM
Tecnologia : SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria : 128Mb (4M x 32)
Frequenza di clock : 200MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : 15ns
Tempo di accesso : 5ns
Interfaccia di memoria : Parallel
Tensione - Fornitura : 1.7V ~ 1.95V
temperatura di esercizio : -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore : 90-VFBGA (8x13)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per W947D2HBJX5E TR
Schede tecniche : W947D2HBJX5E TR.pdf
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