ES1AL M2G - DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per ES1AL M2G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : ES1AL M2G
fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrizione : DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Serie : -
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 50V
Corrente: media rettificata (Io) : 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 950mV @ 1A
Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F : 10pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore : Sub SMA
Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : ES1 , ES1A

Documenti per ES1AL M2G

Schede tecniche : ES1AL M2G.pdf

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