PMZB200UNEYL - MOSFET N-CH 30V SOT883

codice articolo del costruttore

PMZB200UNEYL

Numero parte interna

AX-PMZB200UNEYL

fabbricante

Nexperia USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V SOT883

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

6417880 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per PMZB200UNEYL

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PMZB200UNEYL

fabbricante : Nexperia USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 30V SOT883

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.4A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.7nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 89pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 350mW (Ta), 6.25W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DFN1006B-3

Pacchetto / caso : 3-XFDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PMZB , PMZB20

Documenti per PMZB200UNEYL

Schede tecniche : PMZB200UNEYL.pdf

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