NVMFD5877NLT3G - MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1122265 Pieces
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Specifiche per NVMFD5877NLT3G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : NVMFD5877NLT3G
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 25V
Potenza - Max : 3.2W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : NVMF , NVMFD58

Documenti per NVMFD5877NLT3G

Schede tecniche : NVMFD5877NLT3G.pdf

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